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HUSB363
分(fēn)享

分(fēn)享到(dào)微(wēi)信

×
HUSB363是(shì)慧能(néng)泰推出的(de)一(yī)款全新高(gāo)靈活↔β™度,全協議(yì)PDSource充電(diàn)方案。它§βε×能(néng)夠支持多(duō)個(gè)可(kě)∑φ✘編程電(diàn)壓和(hé)電(diàn)流的(de)PDO,以滿足不(bù)同應 ↓↓ε用(yòng)需求,比如(rú)PPSPDO。所有(yǒu)PDO均λ≈∏完全符合USBPD3.1規範修訂版1.8的(de)要(yàλ&‍o)求。此外(wài),HUSB363還(hái)支持DPDM充電(diàn)協議(yβ<¶ì)。
産品詳情
資料下(xià)載

  HUSB363是(shì)慧能(néng)泰推出的(de)一(yī)款全新高(Ωδ™ gāo)靈活度,全協議(yì)PDSource充電(♦×±diàn)方案。它能(néng)夠支持多(duγ©&ō)個(gè)可(kě)編程電(diàn)壓和(hé)↑β↓≤電(diàn)流的(de)PDO,以滿足不(bù)同應用(yòng)需求,比如(rú)PPSP¶±¶φDO。所有(yǒu)PDO均完全符合USBPD3.1規範修訂版1.8的(de)要(yào∞'‍↔)求。此外(wài),HUSB363還(hái)支持DPDM充電(diàn)協議(yì)。其D+←↓↔‌和(hé)D-引腳均可(kě)配置,以支持QC2.0、QC3.↑€∏•0、AFC、FCP、SCP、UFCS以及divider3模式↑<✘,為(wèi)傳統設備提供了(le)出色的(de)兼容性 €•>。該芯片集成了(le)一(yī)個(gè)栅極↕<£驅動器(qì),用(yòng)于從(cóng)VIN啓用(yòng)VBUS,從(c★¥óng)而保護與Type-C連接器(qì)相(xiàng)連的(de)設備。CC1、CC2ε‌₩→、D+和(hé)D-引腳的(de)高(gāo)電(di£☆✘àn)壓耐受性和(hé)保護功能(néng)為(wèi)系統提供了(le)♦'更高(gāo)的(de)可(kě)靠性。

  典型應用(yòng)電(diàn)路(lù):

  産品特性:

  支持PPS的(de)USBType-CPD電(diàn)源

  –符合USBType-C規範修訂版2.1

  –符合USBPD規範修訂版3.1

  集成VCONN電(diàn)源以進行(εδ≈xíng)eMarker檢測

  集成高(gāo)壓驅動器(qì),适用(yòng)于N-MOSFET

  USBType-C連接器(qì)引腳最大(dà)電♦₹(diàn)壓額定值高(gāo)達30V

  可(kě)編程恒壓與恒流控制(zhì)

  支持BC1.2和(hé)HVDCP協議(yì)

  –BC1.2DCP及divider3模式

  –QC2.0/3.0

  –AFC

  –FCP和(hé)SCP

  –UFCS

  故障保護包括:過電(diàn)壓保護Ω₽‌(OVP)、過電(diàn)流保護(OCP)、短(duǎn)路(l→←≈§ù)保護(SCP)、過溫保護(OTP)、欠電(diàn)壓保護(UVP)、CC過電(diàn)壓→​ε(CC_OV)、DP/DM過電(diàn)壓(DPDM_OV)、熱∞★(rè)關斷(TSD)

  簡易封裝:主要(yào)采用(yòng)QFN-1¥♠6L/QFN-24L封裝形式

  典型應用(yòng):

  評估闆套件(jiàn):

産品資料
大(dà)小(xiǎo)
HUSB363規格書(shū).pdf
HUSB363

HUSB363

分(fēn)享

分(fēn)享到(dào)微(wēi)信

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HUSB363是(shì)慧能(néng)π♦∑™泰推出的(de)一(yī)款全新高(gāo)靈活度,全協議(yì)PDSource充電(ββε∏diàn)方案。它能(néng)夠支持多(duō)個(gè)可(kě)λ‌&編程電(diàn)壓和(hé)電(diàn)流的(de)PDO,以滿足不(bù)同應用(yòng)λ 需求,比如(rú)PPSPDO。所有(yǒu)PDO均完全符合USBPD3.1規範修₹φ∑≈訂版1.8的(de)要(yào)求。此外(wài),HUSB363還(h€™ái)支持DPDM充電(diàn)協議(yì)。
18126113032
産品詳情
資料下(xià)載

  HUSB363是(shì)慧能(néng)泰推出的(de)™÷φ≠一(yī)款全新高(gāo)靈活度,全協議(yì)PDSource充電(diàn)方案。它×↔&∑能(néng)夠支持多(duō)個(gè)可(kě)編程電(diàn♦→)壓和(hé)電(diàn)流的(de)PDO,以滿足不±¶(bù)同應用(yòng)需求,比如(rú)PPSPDO。所有(yǒu)PDO均完全符合USBPD‌≤₹3.1規範修訂版1.8的(de)要(yào)求。此外(wài),HUSB3‌>∏​63還(hái)支持DPDM充電(diàn)協議(yì)。其D+和(hé)D-引腳均可(kě)配✘α置,以支持QC2.0、QC3.0、AFC、FCP、SCP、UFCS以及divider3模式,為‌&(wèi)傳統設備提供了(le)出色的(de)兼容性。該芯片集成了(le)一(yī)個(gèΩ"✔ )栅極驅動器(qì),用(yòng)于從(cóng)VIN啓用(yòng)VBUS,從→$Ω(cóng)而保護與Type-C連接器(qì)相(xiàng)連的(de)設☆λ©備。CC1、CC2、D+和(hé)D-引腳的(de)高(gāo)電(diàn)壓耐受←©​性和(hé)保護功能(néng)為(wèi)系統提供了(le)更高(gāo)↔Ω₽的(de)可(kě)靠性。

  典型應用(yòng)電(diàn)路(lù):

  産品特性:

  支持PPS的(de)USBType-CPD電(diàn)源

  –符合USBType-C規範修訂版2.1♥®≥

  –符合USBPD規範修訂版3.1

  集成VCONN電(diàn)源以進行(xín±‍→g)eMarker檢測

  集成高(gāo)壓驅動器(qì),适用(yòng)•♣Ω<于N-MOSFET

  USBType-C連接器(qì)引腳最大(dà)電(diàn)壓額定值高(gāo)€≤ δ達30V

  可(kě)編程恒壓與恒流控制(zhì)

  支持BC1.2和(hé)HVDCP協議(yì)ו

  –BC1.2DCP及divider3模式

  –QC2.0/3.0

  –AFC

  –FCP和(hé)SCP

  –UFCS

  故障保護包括:過電(diàn)壓保護(OVP)、過電(diàn)流保護(O₹↑CP)、短(duǎn)路(lù)保護(SCP)、過溫保護(OTP)、欠電(diàn)壓保護(UV¶€P)、CC過電(diàn)壓(CC_OV)、DP/DM過電(diàn¥∞)壓(DPDM_OV)、熱(rè)關斷(TSD)

  簡易封裝:主要(yào)采用(yòng)QFN-16L/QFN-24L封裝形式

  典型應用(yòng):

  評估闆套件(jiàn):

産品資料
大(dà)小(xiǎo)
更新日(rì)期
HUSB363規格書(shū).pdf
331.7KB
2024-12-02 16:43:41
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