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産品概述
HUSB251專為(wèi)USB Type-C DRP産品設計(jì),它可(kě)以支持多(duō)個(gè)PD£βO,為(wèi)不(bù)同的(de)應用(✔ε yòng)提供可(kě)編程的(de)電(¥¥↓diàn)壓和(hé)電(diàn)流,如(rú)←×¥γPPS PDO、EPR PDO,所有(yǒu≠>)的(de)PDO都(dōu)完全符合USB PD 3↓♥ σ.1 Rev.1.8規範。
在Source模式下(xià),HUSB251還(hái)實現(xiàn)了(le)D←¶PDM充電(diàn)協議(yì)。D+和(hé)D-引腳都(dōu)可(kě)以被配置為∞§↓↑(wèi)支持QC2.0、QC3.0、AFC、FCP、UFCS和(h♦€β∑é)divider 3模式,為(wèi)傳統設備提供了(le)良好✔α(hǎo)的(de)兼容性。 它集成了(le)一(yī)個(gè)GAT♠✘↕σE驅動器(qì),可(kě)控制(zhì)VIN和(hé)VBUS之間(jiān)是(shπ©ì)否導通(tōng),從(cóng)而保護與Type-C連接₹←∏₹器(qì)連接的(de)設備。另外(wài),其CC1、CC2、D+和(hβαλ∏é)D-引腳的(de)高(gāo)電(diàn)壓容限和(hé)&保護為(wèi)系統提供了(le)更多(duō)的(de)可(kě)靠性。
典型應用(yòng)電(diàn)路(lù)
産品特性
·
支持USB Type-C DRP與PD協議(yì)
·
§
符合USB Type-C 2.1
§
§
符合USB PD 3.1
§
·
支持28 V EPR FPDO和(hé)EPR AVS
·
·
集成VCONN和(hé)eMarker檢測
·
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集成N-MOSFET驅動
·
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
·
§
BC1.2 DCP和(hé)Divider 3
§
§
QC2.0, QC3.0, AFC, FCP, UFCS€λ₽
§
·
引腳耐壓35 V
·
·
支持可(kě)編程恒定電(diàn)壓環路(lù)(CV)和(hé)恒定電(diàn)流環路(lù)(CC)控制(zhì)
·
·
支持死電(diàn)池模式
·
·
集成VIN OCP、SCP、UVP、 OVP和(hé)CC OVP, OCP, DPDM OVP∏₽♦®, OTP, TSD 等保護
·
·
集成MCU和(hé)ROM方便用(yòng)戶自(zì)定義開(kāi)發
·
·
集成I²C 和(hé) UART 模塊,用(yòng)于系統 通(tōng)信
·
·
集成深度睡(shuì)眠模式,超低(dī)待機(jī÷♥)功耗
·
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±4 kV HBM ESD
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符合USB Type-C 2.1
§
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符合USB PD 3.1
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支持28 V EPR FPDO和(hé)EPR AVS
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集成VCONN和(hé)eMarker檢測
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集成N-MOSFET驅動
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
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BC1.2 DCP和(hé)Divider 3
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QC2.0, QC3.0, AFC, FCP, UFCS
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引腳耐壓35 V
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支持可(kě)編程恒定電(diàn)壓環路(l•♥ù)(CV)和(hé)恒定電(diàn)流環路(lù)(CC)控制(zhì)
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支持死電(diàn)池模式
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集成VIN OCP、SCP、UVP、 OVP和(hé• ®÷)CC OVP, OCP, DPDM OVP, OTP, TSD 等保護
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集成MCU和(hé)ROM方便用(yòng)戶自(zì)定義開(kāi)發
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集成I²C 和(hé) UART 模塊,用(yòng)于系統 通(tōng)信
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集成深度睡(shuì)眠模式,超低(dī)待機(jī)功耗
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±4 kV HBM ESD
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典型應用(yòng)
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符合USB Type-C 2.1
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符合USB PD 3.1
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支持28 V EPR FPDO和(hé)EPR AVS↔→©®
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集成VCONN和(hé)eMarker檢測
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集成N-MOSFET驅動
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
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BC1.2 DCP和(hé)Divider 3♦÷
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QC2.0, QC3.0, AFC, F≈↔→&CP, UFCS
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引腳耐壓35 V
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支持可(kě)編程恒定電(diàn)壓環路(lù)(CV)和(hé)恒定電(diàn)流環路(lù)(CΩ ♦¶C)控制(zhì)
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支持死電(diàn)池模式
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集成VIN OCP、SCP、UVP、 OVP和(hé)CC OVP, OCP, DPDM OVP, O♣₩¶¶TP, TSD 等保護
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集成MCU和(hé)ROM方便用(yòng)戶自(zì)定義開(kāi)發
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集成I²C 和(hé) UART 模塊,用(yòng)于系統 通(tōng)信
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集成深度睡(shuì)眠模式,超低(dī)待機(jī)功耗
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±4 kV HBM ESD
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符合USB Type-C 2.1
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符合USB PD 3.1
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支持28 V EPR FPDO和(hé)EPR AVS
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集成VCONN和(hé)eMarker檢測
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集成N-MOSFET驅動
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
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BC1.2 DCP和(hé)Divider 3
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QC2.0, QC3.0, AFC, FCP, UFCS
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引腳耐壓35 V
典型應用(yòng)
産品概述
HUSB251專為(wèi)USB Type-C DRP産品設計(jì),它可"•(kě)以支持多(duō)個(gè)PDO,為(wèi)不(bù)同的($¥←de)應用(yòng)提供可(kě)編程的(d∞÷↔×e)電(diàn)壓和(hé)電(diàn)流,♠σ♦如(rú)PPS PDO、EPR PDO,所有(yǒu)的(de)PDO都(dōu)完全符合USα± B PD 3.1 Rev.1.8規範。
在Source模式下(xià),HUSB2$→✘®51還(hái)實現(xiàn)了(le)DPDM充電(diàn)協議(yì)。D+和(hé)↕λπD-引腳都(dōu)可(kě)以被配置為(wèi)支持QC2.0、QC3.0、A₽εFC、FCP、UFCS和(hé)divi &der 3模式,為(wèi)傳統設備提供了(le)良€←≤好(hǎo)的(de)兼容性。 它集成了(le)一(y£δ¥ī)個(gè)GATE驅動器(qì),可(kě)控制(zhì)VIN和(hé)VB ₩∏¥US之間(jiān)是(shì)否導通(tōng),從(cóng)而保護∏∞≥¥與Type-C連接器(qì)連接的(de)設備。另外(wài),其CC1、CC2、≥•D+和(hé)D-引腳的(de)高(gāo)電(dià↓¶n)壓容限和(hé)保護為(wèi)系統提>β供了(le)更多(duō)的(de)可(kě)靠性。
典型應用(yòng)電(diàn)路(lù)
産品特性
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支持USB Type-C DRP與PD協議(yì)
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符合USB Type-C 2.1
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符合USB PD 3.1
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支持28 V EPR FPDO和(hé)EPR AVS
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集成VCONN和(hé)eMarker檢測
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集成N-MOSFET驅動
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
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BC1.2 DCP和(hé)Divider 3
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QC2.0, QC3.0, AFC, FCP, UFCS
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引腳耐壓35 V
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支持可(kě)編程恒定電(diàn)壓環路(lù)(CV)和(hé)恒定電(diàn)流環路(→♠δ lù)(CC)控制(zhì)
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支持死電(diàn)池模式
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集成VIN OCP、SCP、UVP、 OVP和(hé)CCδ→≤ OVP, OCP, DPDM OVP, OTP, TSD 等保護
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集成MCU和(hé)ROM方便用(yòng)戶自→λ¶(zì)定義開(kāi)發
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集成I²C 和(hé) UART 模塊,用(yòng)于系統 通(tōn ®"g)信
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集成深度睡(shuì)眠模式,超低(dī)待機(jī)功耗
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±4 kV HBM ESD
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符合USB Type-C 2.1
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§
符合USB PD 3.1
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·
支持28 V EPR FPDO和(hé)EPR AVS
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集成VCONN和(hé)eMarker檢測
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集成N-MOSFET驅動
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
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BC1.2 DCP和(hé)Divider 3
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§
QC2.0, QC3.0, AFC, FCP, UF&¶CS
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引腳耐壓35 V
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支持可(kě)編程恒定電(diàn)壓環路(lù)(CV)和(hé)恒定電(diàn)流環路(lù)(CC¥♦₩¶)控制(zhì)
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支持死電(diàn)池模式
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集成VIN OCP、SCP、UVP、 OVP和(hé)CC OVP, OCP, DPDM OVP, ↓"≤OTP, TSD 等保護
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集成MCU和(hé)ROM方便用(yòng)戶自(zì)定義開(kāi)發
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集成I²C 和(hé) UART 模塊,用(yòng)于系統 通(tōng)信
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·
集成深度睡(shuì)眠模式,超低(dīπ↑≥)待機(jī)功耗
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±4 kV HBM ESD
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典型應用(yòng)
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§
符合USB Type-C 2.1
§
§
符合USB PD 3.1
§
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支持28 V EPR FPDO和(hé)EP£δR AVS
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集成VCONN和(hé)eMarker檢測
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集成N-MOSFET驅動
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
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BC1.2 DCP和(hé)Divider 3
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§
QC2.0, QC3.0, AFC, FCP, ∏λUFCS
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引腳耐壓35 V
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支持可(kě)編程恒定電(diàn)壓環♥≠"路(lù)(CV)和(hé)恒定電(diàn)流環路(lù)(CC)控制(zhì)
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支持死電(diàn)池模式
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集成VIN OCP、SCP、UVP、 OVP和(hé)CC OVP, OCP, DPDM OVPγ¥↑ , OTP, TSD 等保護
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集成MCU和(hé)ROM方便用(yòng)戶自(zì)定義開(kāi)發
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集成I²C 和(hé) UART 模塊,用(yòδ¶λ↔ng)于系統 通(tōng)信
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集成深度睡(shuì)眠模式,超低(dī)待機(jī)功耗
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·
±4 kV HBM ESD
§
符合USB Type-C 2.1
§
§
符合USB PD 3.1
§
·
支持28 V EPR FPDO和(hé)EPR ↔✘AVS
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集成VCONN和(hé)eMarker檢測
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集成N-MOSFET驅動
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支持多(duō)種DPDM充電(diàn)協議(yì)
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§
BC1.2 DCP和(hé)Divider 3
§
§
QC2.0, QC3.0, AFC, FCP, UFCS
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引腳耐壓35 V
典型應用(yòng)